在驅動裝置選型時，需要考慮一定的降容系數來適應安裝環境或者現場應用等，通常我們需要考慮的總電流降容系數為多個降容分量的乘積：kD=kTemp*kPulse*kParallel*kIGBT*k<10Hz，其中：

kD總電流降容系數

kTemp由于環境溫度升高需要考慮的降容（現有S120 Chassis > 40°C，Chassis-2 > 45°C）

kPulse由于脈沖調制頻率高于出廠默認值需要考慮的降容

kParallel由于裝置并聯所帶來的降容（0.95）

kIGBT為保護自由負載周期電流波動對IGBT壽命損傷所需要考慮的降容

k<10Hz低頻輸出運行< 10 Hz 需要考慮的降容

 S120 Chassis-2在降容特性上有很大優化，下面詳細介紹：

1、S120 Chassis-2的脈沖頻率

變頻器設置較高的脈沖頻率所帶來的好處有：

較高脈沖頻率可以獲得更高的輸出頻率

對于驅動特定電機不需要降容，例如1FW力矩電機、SIMOTICS FD電機

某些特定應用例如等時同步通訊可以不降容或者少降容，例如等時同步模式需要電流環掃描周期為125 μs或其整數倍

在變頻驅動系統中，可降低電機的電磁噪聲，同時有助于減小IGBT開關噪聲

S120 Chassis-2的脈沖調制頻率出廠默認為2.5 kHz，相較于現在的S120 Chassis-1提高了一倍，這樣獲得提高脈沖頻率帶來的優勢，又極大減小降容帶來的影響。下表為脈沖頻率及可獲得輸出頻率的對照表。

2、自由負載周期的降容kIGBT

       在自由負載周期中，負載電流周期性的變化將導致IGBT芯片溫度升高及溫度波動，從而減少IGBT的使用壽命。為減少溫升和溫度變化對IGBT的影響，需要減小負載電流，進行一定的裝置降容。降容系數kIGBT是短時電流和基本負載電流的比值ΔI與負載循環周期T的函數，對于現有的SINAMICS G130，G150和S120，不同額定功率的裝置共有三種不同的降容特性曲線，具體信息可以參考推文“自由負載周期的降容kIGBT的計算”。S120 Chassis-2由于采用了統一的新型IGBT設計及新型的冷卻技術，將三種不同的降容特性曲線歸為一種，降容的值與S120 Chassis-1相比減小了一半，不僅工程設計上更簡化，而且可以給客戶提供更加經濟的解決方案。

3、低頻運行<10 Hz 的電流降容k<10Hz

        低頻運行（<10Hz）造成的IGBT芯片溫度波動會減小使用壽命，具體內容可參考“【干貨學院】淺談溫度對IGBT的影響”。

       通常對于運行周期中低頻工作占比小于2%的情況下，現有S120電機模塊電流Zui大需要降容至75%，對于Chassis-2，脈沖頻率2.5 kHz則電流Zui大需要降容至90%，如果采用1.25 kHz的脈沖頻率則不需要考慮降容。對于運行周期中低頻工作占比大于2%的情況下，現有S120電機模塊電流Zui大需要降容至50%，對于Chassis-2，脈沖頻率2.5 kHz則電流Zui大需要降容至70%，如果采用1.25 kHz的脈沖頻率Zui大需要降容至80%。

       可以說對比現有S120 Chassis-1，低頻運行下Chassis-2 的降容減小了一半。

<圖3-1 低頻運行

4、安裝海拔高度及環境溫度的降容 kTemp

S120 Chassis-2的安裝海拔高度及環境溫度的降容表如下圖，Chassis-2 的運行溫度為-10°C~+45°C，環境溫度高于45°C及安裝海拔高度大于1000米需要考慮降容，同時Chassis-2 還給出了環境溫度60°C的降容數據。

       得益于新型IGBT，采用散熱片及IGBT間傳導率更高的新型導熱膏，創新設計的散熱片，優化的冷卻系統及風扇，S120 Chassis-2的降容特性得到進一步優化，為工程應用提供了更加經濟可靠的解決方案。